可控硅的主要参数

  (1) 额外通态均匀电流IT在必定条件下，阳极---阴极间能够接连经过的50赫兹正弦半波电流的均匀值。

  (2) 正向阻断峰值电压VPF 在操控极开路未加触发信号，阳极正向电压还未超越导能电压时，能够重复加在可控硅两头的正向峰值电压。可控硅接受的正向电压峰值，不能超越手册给出的这个参数值。

  (3)反向阴断峰值电压VPR当可控硅加反向电压，处于反向关断状况时，能够重复加在可控硅两头的反向峰值电压。使用时，不能超越手册给出的这个参数值。

  (4) 操控极触发电流Ig1 、触发电压VGT在规则的环境和温度下，阳极——阴极间加有必定电压时，可控硅从关断状况转为导通状况所需求的最小操控极电流和电压。

  (5) 保持电流IH在规则温度下，操控极断路，保持可控硅导通所必需的最小阳极正向电流。

  近年来，许多新式可控硅元件相继问世，如适于高频使用的快速可控硅，能够用正或负的触发信号操控两个方导游通的双向可控硅，能够用正触发信号使其导通，用负触发信号使其关断的可控硅等等。回来搜狐，检查更加多